报告人：吕俊鹏 教授 东南大学

报告时间：2021年11月25日上午10：00

报告地点：腾讯会议ID 579186346

报告题目：二维材料缺陷光物理与光电器件应用

报告人简介：

吕俊鹏，东南大学青年首席教授，博导，国家青年高层次人才，江苏省“双创团队”领军人才，江苏省“双创人才”，东南大学“紫金青年学者”。主要从事微纳光学、光电子学等研究工作，在低维材料光与物质相互作用前沿研究中取得了创新性的研究成果，被Science Daily，Nano Werk，R&D Magazine，Science Newline，Phy.org等科学媒体广泛报道。承担或联合承担国家自然科学基金委重大研究计划培育项目、青年项目、科技部重点研发项目、江苏省“六大人才高峰”项目等。担任全国纳标委低维纳米工作组副秘书长，《物理实验》编委，Chinese Physics Letters (CPL)、Chinese Physics B (CPB)、《物理学报》和《物理》四刊联合青年编委，《半导体学报》、《量子电子学报》青年编委，中国仪器仪表学会光学仪器分会理事，江苏省物理学会电磁材料与器件分委会秘书长，江苏省青联委员，省青科协理事，省侨联青年委员会常务委员。

报告简介：

作为后石墨烯时代的新型二维材料，过渡金属硫族化合物呈现半导体特性，并且其电子结构随层数可调，随着层数由多层减薄致单层，其能带结构由间隙带隙转变为直接带隙，因而可实现光致发光。大部分二维过渡金属硫化物的带隙大小位于可见光范畴，为其在显示、照明、可见光通信等领域的应用奠定了基础。本次报告将汇报三方面的内容：1.二维过渡金属硫化物荧光图案化方面的研究进展，从边界态、缺陷空间分布、物理/化学吸附等方面探索了导致单层过渡金属硫化物荧光图案化的原因，并利用缺陷工程实现了荧光量子产率的提升。2.新型半导体材料光电转换机理研究，利用时间分辨太赫兹时域光谱技术，探测分析缺陷对光电转换器件中载流子动力学、瞬态光电导等行为的影响。3.二维高性能光电器件，利用二维/三维复合技术，实现特定功能硅基光电芯片。

集成电路科学与工程学院

2021年11月24日