报告题目：

新型氮化镓器件在高频PFC中的应用

报告简介:

宽禁带氮化镓功率器件与传统硅器件相比具有更优的性能，如更快的开关速度，更高的耐压及更高的耐温，是世界各国重点攻关的关键技术。因此，新型氮化镓器件能够显著提升电力电子系统的性能并有可能带来传统硅技术下无法实现的新的应用。但同时，也对电力电子系统带来很多挑战。新型器件在实际应用中的性能是否与理论相符，传统的电路设计方法是否还适用于新型器件，如何充分收割新技术带来的好处等一系列问题亟待解决。报告通过介绍新型器件的理论性能和实测结果入手，挖掘最有效使用新型氮化镓器件的条件，分析这些条件的边界，以PFC 电路为例实验验证氮化镓器件对电力电子系统性能的提升，展示新型半导体技术的潜力，分享对于在电力电子系统中采用新技术的经验。

报告时间：

2019年3月27日  上午10:00

报告地点：

23号楼102会议室

报告人简介：

王文博 研究员,荷兰代尔夫特理工大学博士。IEEE国际宽禁带半导体技术路线图委员会（ITRW）委员，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）青年委员会委员。长期主要从事新型半导体技术及其应用研究。相关研究成果曾获2016国际第三代半导体创新创业大赛三等奖，第39届国际工业电子协会年会（IECON）直流电源领域最佳论文奖。出版新型半导体应用专著一部，在行业内顶尖期刊和最高水平学术会议发表论文10余篇。现任职荷兰代尔夫特理工大学中国研究院项目主管，主持新型半导体关键技术及应用研究项目, 负责项目的技术路线、成果实现及转化。

天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室

电气电子工程学院

2019年3月18日